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J-GLOBAL ID：201502202067271701   整理番号：15A0907708

ゲート電界がトンネリング方向と一致するAlGaSb/InAs TFETにおける量子輸送

Quantum Transport in AlGaSb/InAs TFETs With Gate Field In-Line With Tunneling Direction

著者 (10件)： JIANG Zhengping (Purdue Univ., IN, USA) ,  LU Yeqing (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  LU Yeqing (Synopsys, Inc., CA, USA) ,  TAN Yaohua (Purdue Univ., IN, USA) ,  HE Yu (Purdue Univ., IN, USA) ,  POVOLOTSKYI Michael (Purdue Univ., IN, USA) ,  KUBIS Tillmann (Purdue Univ., IN, USA) ,  SEABAUGH Alan C. (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  FAY Patrick (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  KLIMECK Gerhard (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 8  ページ： 2445-2449  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート電界がトンネリング方向と一致するAlGaSb/InAs TFET(インラインTFET)の量子輸送シミュレーションを,ダイナミック非局所(DNL)経路バンド間法と非平衡Green関数(NEGF)法の両方を使って行った。両者の結果を比較すると,DNLモデルはTFETのソースドレインの直接トンネリングリークを過小評価している。DNLはトンネリング経路を直線と仮定しているためである。NEGF法ではDNL法よりも高いサブ閾値スイング(SS)を予測した。アンダーカットが10nm以下ならば,インラインTFETのSSは60mV/decade以下を期待できる。インラインTFETのスケーリングはアンダーカットとアンダーラップ寸法に制限され,この両方は直接ソースドレイントンネリングで重要な役を担っている。

シソーラス用語： *計算機シミュレーション ,  性能指数 ,  強束縛近似 ,  FET【トランジスタ】 ,  ヒ化インジウム ,  輸送現象 ,  Green関数 ,  近似法 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  アンチモン化物 ,  バンド構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： InAs ,  サブ閾値スイング ,  *トンネルFET ,  原子論的シミュレーション ,  非平衡Green関数 ,  *量子輸送

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  電界 ,  トンネリング ,  InAs ,  TFET ,  量子輸送