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J-GLOBAL ID：201502202169420248   整理番号：15A1071974

低エネルギーイオン散乱:太陽光発電応用のためのCu(In,Ga)Se₂の表面作製と分析

Low energy ion scattering: surface preparation and analysis of Cu(In,Ga)Se₂ for photovoltaic applications

著者 (6件)： TELLEZ Helena ,  DRUCE John (International Inst. for Carbon Neutral Energy Res. (wpi-I2CNER), Kyushu Univ., Fukuoka, 819-0395, JPN) ,  HALL Allen (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Illinois, 1304 W. Green St., Urbana, IL, 61801, USA) ,  ISHIHARA Tatsumi (International Inst. for Carbon Neutral Energy Res. (wpi-I2CNER), Kyushu Univ., Fukuoka, 819-0395, JPN) ,  KILNER John ,  ROCKETT Angus (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Illinois, 1304 W. Green St., Urbana, IL, 61801, USA)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 23  号： 10  ページ： 1219-1227  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厳密に最外殻表面原子層に鋭敏な低エネルギーイオン散乱により,Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)単結晶エピタキシャル膜を分析し,作製条件の関数として表面化学を調べた。試料を,カチオン(A),または,アニオン(B)で終端されたGaAs基板上にハイブリッドスパッタリングと蒸発法により作製し,試料は滑らかな表面を示した。試料を励起原子酸素,または,水素ビームに曝すか,または,500eVのAr⁺でスパッタした。原子O^*処理の結果,すべての膜構成成分を含む清浄な酸化表面が得られた。原子H^*は,表面Gaの割合を強く増強した。これは,おそらく,最外殻表面原子層内に事前に存在していたGaの固有酸化物によると考えられる。スパッタリングは,エネルギー分散分光によってわかったように,膜のバルク組成に近い清浄な表面を生み出した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 太陽光発電 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  層 ,  薄膜 ,  *界面化学 ,  スパッタリング ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *低速イオン散乱
準シソーラス用語： *CIGS ,  原子層 ,  エピタキシャル膜 ,  *表面化学 ,  *低エネルギーイオン散乱

分類 (2件)： 太陽光発電  (NB03090G) ,  試料技術  (BA02070O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低エネルギーイオン散乱 ,  太陽光発電 ,  応用 ,  Cu ,  Ga ,  作製 ,  分析