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J-GLOBAL ID：201502202207237380   整理番号：15A1192147

内蔵型アクセス抵抗器を備えたTa₂O₅ベースの抵抗スイッチングメモリにおけるオーバシュート抑圧の直接証拠

Direct Evidence of the Overshoot Suppression in Ta₂O₅-Based Resistive Switching Memory With an Integrated Access Resistor

著者 (6件)： FAN Yang-Shun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  ZHANG Leqi (imec, Leuven, BEL) ,  CROTTI Davide (imec, Leuven, BEL) ,  WITTERS Thomas (imec, Leuven, BEL) ,  JURCZAK Malgorzata (imec, Leuven, BEL) ,  GOVOREANU Bogdan (imec, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 10  ページ： 1027-1029  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タンタル酸化物ベースRRAMの最大リセット電流の低減に関し,TiN/Ta₂O₅/TaO_x/TaN/TiN積層構造を用い,オーバシュート電流効果の抑圧の直接証拠を提示した。先行の外部抵抗器接続ではなく,内蔵型抵抗器接続による新規のテスト構造を用い,コンプライアンス電流と最大リセット電流の間にほぼ1:1の関係を達成した。また,オンオフ抵抗ウインドウの拡大も得た。オーバシュート抑圧に対するセル寸法効果も考察した。さらに,テストデバイスと測定回路の簡易モデルを提案したが,デバイス動作時の主要な放電ループの識別,および内蔵型直列抵抗器の導入によるオーバシュート抑圧をうまく説明できる。

シソーラス用語： *酸化タンタル ,  *オーバシュート ,  *RAM【メモリ】 ,  スイッチング ,  *記憶素子 ,  抵抗器 ,  電流 ,  サイズ効果 ,  回路モデル
準シソーラス用語： *RRAM ,  リセット電流 ,  抵抗スイッチング ,  内蔵

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： アクセス ,  抵抗器 ,  Ta2O5 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  オーバシュート ,  抑圧 ,  証拠