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J-GLOBAL ID：201502202267487059   整理番号：15A1349041

Ge_1-xSn_x合金薄膜のSIMS評価の間のナノトポグラフィ発展

Development of nanotopography during SIMS characterization of thin films of Ge_1- Sn alloy

著者 (11件)： SECCHI M. (Center for Materials and Microsystems, Fondazione Bruno Kessler, Via Sommarive 18, 38123 Povo, TN, ITA) ,  SECCHI M. (Dep. of Physics, Univ. of Trento, Via Sommarive 14, 38123 Trento, ITA) ,  DEMENEV E. (Center for Materials and Microsystems, Fondazione Bruno Kessler, Via Sommarive 18, 38123 Povo, TN, ITA) ,  DEMENEV E. (Dep. of Molecular Sci. and Nanosystems, Ca’Foscari Univ., Dorsoduro 2137, 30123 Venice, ITA) ,  COLAUX J.L. (Ion Beam Centre, Advanced Technol. Inst., Univ. of Surrey, Guildford GU2 7XH, Surrey, England, GBR) ,  GIUBERTONI D. (Center for Materials and Microsystems, Fondazione Bruno Kessler, Via Sommarive 18, 38123 Povo, TN, ITA) ,  DELL’ANNA R. (Center for Materials and Microsystems, Fondazione Bruno Kessler, Via Sommarive 18, 38123 Povo, TN, ITA) ,  IACOB E. (Center for Materials and Microsystems, Fondazione Bruno Kessler, Via Sommarive 18, 38123 Povo, TN, ITA) ,  GWILLIAM R.M. (Ion Beam Centre, Advanced Technol. Inst., Univ. of Surrey, Guildford GU2 7XH, Surrey, England, GBR) ,  JEYNES C. (Ion Beam Centre, Advanced Technol. Inst., Univ. of Surrey, Guildford GU2 7XH, Surrey, England, GBR) ,  BERSANI M. (Center for Materials and Microsystems, Fondazione Bruno Kessler, Via Sommarive 18, 38123 Povo, TN, ITA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 356  ページ： 422-428  発行年： 2015年11月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固溶度~1%,すなわちSIMS測定が通常最も信頼性の高い定量結果を提供するような希釈状態よりも大きいxをもつGe_1-xSn_x合金中のすず濃度測定への二次イオン質量分析(SIMS)の適用について調べた。SIMS分析をSn⁺イオンを注入したGe膜(Ge膜はSi上にエピタキシャル堆積した)及び化学気相堆積Ge_0.93Sn_0.07合金について行った。衝突エネルギーを1keVに保ちながら一次ビームのイオン種及び二次イオンの極性を変えて三つのSIMS条件を調べた。Rutherford後方散乱分光により測定したフルエンスと最高に一致する最良の深さプロファイル,良好な検出限界(約1×10¹⁷at/cm³)及び深さ分解(約2nm/ディケイド)をCs⁺/SnCs⁺構造で得た。しかし,適用したスパッタリング条件(Cs⁺1keV,直角に64入射)は大きなスパッタ収量の変化をもたらすクレータ底の表面トポグラフィの早期形成を誘起した。原子間力顕微鏡はGe上に展開した特異なトポグラフィを示した。斜め入射に対してはドット及びリップルの列にあるトポグラフィがクレータの底に観測された。この挙動はすれすれ入射に対してはまれで,Cs⁺フルエンスとともに増加することが観測された。スパッタリングの間の試料回転はこのリップル形成を妨げ,その結果として深さの精度を高めた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ゲルマニウム合金 ,  スズ含有合金 ,  *ゲルマニウム ,  半導体薄膜 ,  *化学蒸着 ,  エピタクシー ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *スズ ,  *イオン注入 ,  二次イオン質量分析 ,  *深さプロフィル ,  Rutherford後方散乱 ,  セシウム ,  イオンビームスパッタリング ,  *ナノ構造 ,  トポグラフィー【形態】
準シソーラス用語： ナノトポグラフィー ,  *ナノリップル

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  質量分析  (CC03013N) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 合金薄膜 ,  SIMS ,  評価 ,  ナノトポグラフィ ,  発展