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J-GLOBAL ID：201502202279039990   整理番号：15A0828697

室温でのSi(113)表面上の初期酸化プロセス

Initial oxidation processes on Si(113) surfaces at room temperature

著者 (6件)： TANAKA Kazuma (Yokohama Nat’l Univ) ,  OHNO Shin-ya (Yokohama Nat’l Univ) ,  KODAMA Hiraku (Yokohama Nat’l Univ) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency) ,  TERAOKA Yuden (Japan Atomic Energy Agency) ,  TANAKA Masatoshi (Yokohama Nat’l Univ)
資料名： Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM)  (Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM))
巻： 7th  ページ： ROMBUNNO.4PN-52  発行年： 2014年 
JST資料番号： L8395B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *酸化 ,  半導体 ,  ナノワイヤ ,  化学結合 ,  光電子分光法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  構造 ,  CMOS ,  *表面酸化
準シソーラス用語： *シリコン ,  三次元構造

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  Si ,  初期 ,  酸化プロセス