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J-GLOBAL ID：201502202354156352   整理番号：15A0876161

ミニマルファブ-新しい半導体製造プラットフォーム-3 ミニマルファブにおける固有プロセス技術

著者 (2件)： ソマワン クンプアン (産業技術総合研) ,  原史朗 (産業技術総合研)
資料名： 電気学会誌  (電気学会雑誌)
巻： 135  号： 8  ページ： 543-548  発行年： 2015年08月01日 
JST資料番号： F0011A  ISSN： 1340-5551  CODEN： DGZAAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,ミニマルファブに特有のプロセスを中心にその開発の概要を述べる。既存プロセスですむプロセスはそのまま活用し,ミニマルファブの開発過程において,不可欠であるか,または大変有利なプロセスと判断されたプロセスのみを開発した。1)ハーフインチウェーハ製造:ミニマルファブで用いる直径12.5mmのウェーハは,二つの方法で製造する。一つは,小口径インゴットの単結晶引上方法であり,もう一つは大型ウェーハからくり抜く方法である。2)ウェーハ洗浄装置:表面張力を利用して使用薬液量を大幅に削減する全く新しい洗浄プロセスを開発した。これを「スピンドロップレット洗浄法」とよび,薬液の使用量を劇的に削減できる。3)ミニマルファプフォトリソグラフィ装置群:マスクレス露光方式として,ディジタル・ミラー・デバイス(DMD)を採用した。マスク製造コストをゼロにでき,また露光パターンをその場で作成してすぐに露光を実行できる。現像プロセスでは,ウェーハの強い表面張力を利用して,少量の現像液を滴下後回転させて現像を促進させる方法を開発した。これを,スピンドロップレット現像法という。4)マイクロプラズマのミニマルエッチング:マイクロプラズマは,高密度であるがプラズマの広がりが小さいため,これまで利用されてこなかった。ウェーハを機械的にスキャンすることで,マイクロプラズマがウェーハ面内に時間的に均-に作用するようにすることでその問題を解決した。5)CVD:CVDでは,化学反応の効率を上げる必要がある。集光型加熱方式を開発し,シリコンのホモエピタキシャル成長を形成することに成功した。

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  *FMS【生産】 ,  *生産設備 ,  ウエハ【IC】 ,  洗浄装置 ,  フォトリソグラフィー ,  界面張力 ,  プラズマ ,  プラズマエッチング ,  化学蒸着 ,  ホモエピタクシー
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  マイクロプラズマ ,  *ミニマルファブ ,  開発プロジェクト ,  *半導体製造装置 ,  露光装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ミニマルファブ ,  半導体製造 ,  プラットフォーム ,  固有 ,  プロセス