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J-GLOBAL ID：201502202599888871   整理番号：15A1233309

超高圧処理を利用したGaN:ZnO光触媒の新規調製法

著者 (8件)： 渡部理 (東大) ,  鈴木健汰 (東大) ,  守屋映祐 (東大) ,  久富隆史 (東大) ,  高田剛 (物質・材料研究機構) ,  嶺岸耕 (東大) ,  片山正士 (東大) ,  堂免一成 (東大)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集  (触媒討論会(A)講演予稿集)
巻： 116th  ページ： 22  発行年： 2015年09月09日 
JST資料番号： S0874A  ISSN： 1343-9936  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaNとZnOの固溶体(GaN:ZnO)は水分解に活性な光触媒であり,GaNとZnOの固溶比率に応じてバンドギャップエネルギーが変化することが知られている。本研究においてはその光触媒活性の更なる向上のために超高圧処理を利用し,ZnO比率の増加による吸収端波長の長波長化について検討を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *光触媒 ,  *窒化ガリウム ,  *酸化亜鉛 ,  *分解反応 ,  *触媒活性 ,  エネルギーギャップ ,  *固溶体 ,  水酸化物 ,  *層状化合物 ,  高圧操業 ,  化学合成 ,  *水分解 ,  複水酸化物 ,  運転
準シソーラス用語： 高圧処理 ,  層状複水酸化物

分類 (3件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  界面化学一般  (CB12010J) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高圧処理 ,  GaN ,  ZnO ,  光触媒 ,  調製法