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J-GLOBAL ID：201502202635793220   整理番号：15A1047690

HVPE成長したGa₂O₃ショットキーバリアダイオードのデバイス特性温度依存性

著者 (17件)： 小西敬太 (情通機構) ,  佐々木公平 (タムラ製作所) ,  佐々木公平 (情通機構) ,  後藤健 (タムラ製作所) ,  後藤健 (東京農工大 大学院) ,  野村一城 (東京農工大 大学院) ,  THIEU Quang Tu (東京農工大 大学院) ,  THIEU Quang Tu (東京農工大 GIRO) ,  富樫理恵 (東京農工大 大学院) ,  村上尚 (東京農工大 大学院) ,  熊谷義直 (東京農工大 大学院) ,  MONEMAR Bo (東京農工大 GIRO) ,  MONEMAR Bo (Linkoeping Univ.) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院) ,  倉又朗人 (タムラ製作所) ,  山腰茂伸 (タムラ製作所) ,  東脇正高 (情通機構)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.16P-4C-7  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *酸化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  温度依存性 ,  電流密度-電圧特性
準シソーラス用語： HVPE ,  アノード電圧

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： HVPE ,  成長 ,  Ga2O3 ,  ショットキーバリアダイオード ,  デバイス特性 ,  温度依存性