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J-GLOBAL ID：201502202902862430   整理番号：15A1165106

SiO₂/SiNによる表面不動態化がAlGaN/GaN/Si HEMTの深い準位に及ぼす効果のキャラクタリゼーション

Characterisation of the effect of surface passivation with SiO₂/SiN on deep levels in AlGaN/GaN/Si HEMTs

著者 (7件)： JABLI Fikria (Univ. of Monastir, Lab. of Micro-Optoelectronics and Nanostructures, Monastir 5000, Tunisia) ,  ZAIDI Mohamed Ali (Univ. of Monastir, Lab. of Micro-Optoelectronics and Nanostructures, Monastir 5000, Tunisia) ,  ZAIDI Mohamed Ali (Coll. of Sci. Al- Zulfi, Al Majmaah Univ., Box: 1712, 11932, Saudi Arabia) ,  BEN Hamadi Nawfel (Chemistry Dep., Coll. of Sci., IMSIU (Al Imam Mohammad Ibn Saud Islamic University), Riyadh 11623, Saudi Arabia) ,  ALTHOYAIB S. (Coll. of Sci., Dep. of Physics, Qassim Univ., Buraidah 51452, Saudi Arabia) ,  GASSOUMI Malek (Univ. of Monastir, Lab. of Micro-Optoelectronics and Nanostructures, Monastir 5000, Tunisia) ,  GASSOUMI Malek (Coll. of Sci., Dep. of Physics, Qassim Univ., Buraidah 51452, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 653  ページ： 624-628  発行年： 2015年12月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/SiNによる表面不動態皮膜が有りと無しのAl_0.26Ga_0.73N/GaN/Si HEMTsについて,深準位過渡分光法(DLTS),静電容量-電圧(C-V)測定,電流-電圧(I-V)測定を行い,AlGaN/GaN/Si HEMTsの電子トラップを理解し,不動態化前後を比較研究した。0.054eV,0.31eV,0.49eVの活性化エネルギーを持つ三つの深準位電子トラップが観測された。これらトラップの位置と同定について報告する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *HEMT ,  二酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  ケイ素 ,  *深い準位 ,  *不動態皮膜 ,  深準位過渡分光法 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  電子 ,  捕獲 ,  活性化エネルギー ,  不動態化 ,  表面改質
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムガリウム ,  電子トラップ ,  表面不動態化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiO2 ,  SiN ,  表面不動態化 ,  AlGaN ,  GaN ,  Si ,  HEMT ,  深い準位 ,  キャラクタリゼーション