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J-GLOBAL ID：201502203076422310   整理番号：15A0992819

全線量照射下での部分空乏化SOI NMOSのバックゲート効果に及ぼすりんイオン注入の効果【Powered by NICT】

Effect of phosphorus ion implantation on back gate effect of partially depleted SOI NMOS under total dose radiation

著者 (4件)： Li Leilei (School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Zhou Xinjie (The 58th Res. Inst. of China Electronics Technol. Group Corp., Wuxi) ,  Yu Zongguang (School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Feng Qing (The 58th Res. Inst. of China Electronics Technol. Group Corp., Wuxi)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 1  ページ： 014006-1-014006-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バックゲートりんイオン注入技術を用いた部分空乏化シリコンoninsulator(SOI)デバイスのTID耐放射線性能力を改善する機構を研究した。りんイオン注入による逆SiO_2/Si界面近傍のSiO_2に導入された電子トラップがバックゲート界面近くのトラップされた正電荷を相殺することができる。注入した高濃度リンイオンは部分的に空乏化したSOI NMOSデバイスのバックゲート効果を大幅に低減でき,抗全線量照射能力は実験装置用1Mrad(Si)のレベルに達することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐放射線性 ,  *放射線量 ,  *リン ,  界面 ,  *照射 ,  実験装置 ,  *イオン注入 ,  *NMOS構造 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 高濃度 ,  電子トラップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 線量 ,  SOI ,  NMOS ,  バック ,  ゲート効果 ,  りんイオン ,  注入