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J-GLOBAL ID：201502203149375365   整理番号：15A0602636

融液成長希薄磁性半導体Ge_1-xV_xのエントロピー最大化電荷密度分布における反強磁性の特徴

Signature of antiferromagnetism in entropy maximized charge density distribution of melt grown diluted magnetic semiconductor Ge_1-xV_x

著者 (3件)： SHEEBA R. A. J. R. (The Madura Coll., Res. Centre and PG Dep. of Physics, 625 011, Madurai, IND) ,  SARAVANAN R. (The Madura Coll., Res. Centre and PG Dep. of Physics, 625 011, Madurai, IND) ,  BERCHMANS L. J. (CECRI, Electropyrometallurgy Div., 630 006, Karaikudi, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 6  ページ： 3772-3780  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 融液成長技術を用いて,3つの異なるドーパント濃度,x=0.03,0.06及び0.09を持つ希薄磁性半導体Ge_1-xV_xを成長させた。走査電子顕微鏡を用いて,試料の表面モフォロジー性を分析した。振動試料型磁力計を用いた磁気測定から,x=0.03では反磁性,x=0.06と0.09では反強磁性を明らかにする。試料の粉末X線回折データセットを集め,構造をプロファイル精密化技術を用いて解析し,電荷密度は多目的統計ツール最大エントロピー法を用いて解析した。電荷密度解析から,x=0.06と0.09の時,系は共有結合を示し,反強磁性の特徴が描かれる。一対分布関数技術を用いて局所構造を解析した。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *磁性半導体 ,  *融液成長 ,  *反強磁性 ,  エントロピー ,  密度分布 ,  電荷 ,  ゲルマニウム合金 ,  バナジウム合金 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  表面性状 ,  磁力計 ,  磁気測定 ,  反磁性 ,  共有結合
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  電荷密度分布

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 融液成長 ,  希薄磁性半導体 ,  エントロピー最大化 ,  電荷密度分布 ,  反強磁性