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J-GLOBAL ID：201502203212019281   整理番号：15A1321093

Ir(100)基板上でのパターン形成した核形成成長を介した自立ヘテロエピタキシャルダイヤモンド(100)薄膜に関するウエハ湾曲制御

Wafer bowing control of free-standing heteroepitaxial diamond (100) films grown on Ir(100) substrates via patterned nucleation growth

著者 (5件)： YOSHIKAWA Taro (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...) ,  KODAMA Hideyuki (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...) ,  KONO Shozo (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...) ,  SUZUKI Kazuhiro (Toplas Engineering Co., Ltd., Chofu, Tokyo 182-0006, JPN) ,  SAWABE Atsuhito (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 594  号： PA  ページ： 120-128  発行年： 2015年11月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド薄膜について,ウエハ湾曲の制御に対するパターン形成核形成成長(PNG)の可能性を調べた。ヘテロエピタキシャルダイヤモンド(100)薄膜を,Ir(100)基板上に,異なる核形成領域(NR)パターンを用いたPNG技法を介して成長させた。これらNRは,Ir(100)基板上の〈100〉または〈110〉方向に整列した8または13μm間隔のドットアレイである。上記自立薄膜について,ウエハ湾曲および局所応力分布を,共焦点マイクロRaman分光計を用いて測定した。各NRパターンに対して,ダイヤモンド成長の初期段階内での応力発展を,合体ダイヤモンド粒子の走査電子顕微鏡観察と共に調べた。これらの研究は,ドットアレイの間隔と方向とに基づいてNRパターンが,ダイヤモンド薄膜の核形成側での圧縮応力に強い影響を及ぼすこと,自立薄膜の強制変形に支配的な寄与をすること,を明らかにした。この結果は,適切なNRパターンを用いたPNG技法が,極度に小さい湾曲を有する自立ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の製造に対する有望な解であることを示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ダイヤモンド ,  ヘテロエピタクシー ,  核形成 ,  基板 ,  イリジウム ,  結晶方位 ,  *ウエハ【IC】 ,  形態 ,  曲げ ,  アレイ ,  量子ドット ,  パターン形成 ,  顕微Raman分光法 ,  *化学蒸着
準シソーラス用語： マイクロRaman分光法 ,  共焦点Raman分光法 ,  自立膜 ,  量子ドットアレイ ,  湾曲

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ir ,  パターン形成 ,  核形成 ,  成長 ,  自立 ,  薄膜 ,  ウエハ ,  湾曲