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J-GLOBAL ID：201502203300504556   整理番号：15A1343280

1回及び反復化学蒸着により製作された多層MoS₂:異常Ramanシフトと高いオンオフ比率を有するトランジスタ

Multilayer MoS₂ prepared by one-time and repeated chemical vapor depositions: anomalous Raman shifts and transistors with high ON/OFF ratio

著者 (8件)： WU Chong-Rong (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU Chong-Rong (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  CHANG Xiang-Rui (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Shu-Wei (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  CHANG Chung-En (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  WU Chao-Hsin (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN Shih-Yen (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN Shih-Yen (Academia Sinica, Taipei, TWN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 43  ページ： 435101,1-7  発行年： 2015年11月04日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らはサファイア基板上で1回および反復CVD成長により多層MoS₂の製作を実証した。MoS₂の層数が増加するにつれてそれらの異常Ramanシフトは基板遮蔽や弱められた層間結合に帰される。正確に,2つ,4つ,そして6つの層のMoS₂膜はそれぞれ,1つ,2つ,そして3つの成長繰り返しを通して得られる。これらのMoS₂膜の改良された均質性と完全性は6層のMoS₂で製作されたバックゲートトランジスタのドレイン電流を増強させる。10⁵までの高いオンオフ比率もまた,得られる。グラフェンよりも低い移動度にもかかわらず,MoS₂の多層成長とMoS₂層間の自由キャリア輸送は10nmスケール以下で実用的なトランジスタ応用のための有望な候補材料にする。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  化学蒸着 ,  *基板 ,  多層 ,  *トランジスタ ,  結合 ,  Ramanスペクトル ,  輸送現象
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  キャリア輸送 ,  *サファイア基板 ,  二硫化モリブデン ,  層間結合

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 反復 ,  化学蒸着 ,  製作 ,  多層 ,  MoS2 ,  Ramanシフト ,  オンオフ ,  比率 ,  トランジスタ