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J-GLOBAL ID：201502203328832930   整理番号：15A0647945

HfO₂系ゲート酸化膜のためのTMAとMgCp₂を利用するGe基板のin situ表面クリーニング

In situ surface cleaning on a Ge substrate using TMA and MgCp₂ for HfO₂-based gate oxides

著者 (10件)： OH Il-Kwon (School of Electrical and Electronics Engineering, Yonsei Univ., 262 Seongsanno, Seodaemun-gu, Seoul, Korea. ...) ,  KIM Kangsik ,  LEE Zonghoon ,  SONG Jeong-Gyu ,  LEE Chang Wan ,  THOMPSON David ,  LEE Han-Bo-Ram ,  KIM Woo-Hee ,  MAENG Wan Joo ,  KIM Hyungjun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 19  ページ： 4852-4858  発行年： 2015年05月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge基板のトリメチルアルミニウム(TMA)とジシクロペンタジエニルマグネシウム(MgCp₂)を利用するin situ表面クリーニング効果の比較研究を行った。表面クリーニング過程は,HfO₂ゲート誘電体の堆積に先立つ,Ge表面へのTMA,又はMgCp₂前駆体のいずれかの直接的曝露である。また筆者らは,表面処理との比較のために同じ前駆体を利用する非洗浄GeへのHfO₂/Al₂O₃とMgOの2分子層を調べた。化学組成,線プロフィル,原子スケール観察,及び電気的評価の相関関係から,MgCp₂の利用が,HfO₂の誘電層へのGeの拡散を表面クリーニング過程によって低減させる最も有効な方法であった。MgCp₂クリーニング過程は,熱的に安定なGe酸化物をもたらす一方,TMAの洗浄は,すべての型のGeの亜酸化物を低減させる。結果として,このプロセスが,Ge³⁺から主になる熱的に安定な界面層を形成し,TMAよりもすぐれた電気特性をもたらす。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *洗浄 ,  *ウエハ【IC】 ,  *酸化膜 ,  *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  *酸化ハフニウム ,  シクロペンタジエニル錯体 ,  マグネシウム錯体 ,  二分子層 ,  酸化アルミニウム ,  酸化マグネシウム
準シソーラス用語： *ゲート酸化膜 ,  *ゲルマニウム基板 ,  *表面洗浄

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

物質索引 (1件)： トリメチルアルミニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： HfO2 ,  ゲート酸化膜 ,  TMA ,  Ge基板 ,  クリーニング