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J-GLOBAL ID：201502203457303766   整理番号：15A0457535

シリコンバイポーラ接合トランジスタに及ぼす電子及び陽子誘起相乗放射線効果のバイアス依存性

Bias dependence of synergistic radiation effects induced by electrons and protons on silicon bipolar junction transistors

著者 (5件)： LIU Chaoming (School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  LI Xingji (School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  YANG Jianqun (School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  MA Guoliang (School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  XIAO Liyi (School of Astronautics, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN)
資料名： Radiation Physics and Chemistry  (Radiation Physics and Chemistry)
巻： 111  ページ： 36-39  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： D0627A  ISSN： 0969-806X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3DG130 NPNバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の電流利得に及ぼす110keV電子と170keV陽子により生じた相乗放射線効果へのバイアス依存性を調べた。実験結果は170keV陽子で誘起した影響が連続照射時に常に増強効果であることを示唆した。しかし,異なるバイアス下のBJTに及ぼす110keV電子による影響は連続照射時に異なった。110keV電子の遷移フルエンスはBJTのエミッタ-ベース接合のバイアス条件に依存した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バイポーラトランジスタ ,  ケイ素 ,  電子照射 ,  陽子照射 ,  *放射線効果 ,  バイアス ,  フルエンス ,  相乗作用
準シソーラス用語： *バイアス依存性 ,  *バイポーラ接合トランジスタ ,  相乗効果

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  バイポーラ接合トランジスタ ,  電子 ,  陽子 ,  誘起 ,  放射線効果 ,  バイアス依存性