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J-GLOBAL ID：201502203633088851   整理番号：15A0924217

HfO₂抵抗スイッチング素子に於ける,サブフォーミング処理段階でのデュアルバイポーラ抵抗スイッチング

Dual bipolar resistive switching in the sub-forming regime of HfO₂ resistive switching devices

著者 (5件)： RECHER Shani (Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR) ,  YALON Eilam (Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR) ,  RITTER Dan (Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR) ,  RIESS Ilan (Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR) ,  SALZMAN Joseph (Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 111  ページ： 238-242  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *記憶装置 ,  特性 ,  フィラメント ,  モデリング ,  *スイッチング
準シソーラス用語： *HfO2 ,  *デュアルバイポーラ抵抗スイッチング ,  抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  導電性フィラメント

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： HfO2 ,  スイッチング素子 ,  サブ ,  フォーミング ,  段階 ,  デュアル ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング