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J-GLOBAL ID：201502203706202909   整理番号：15A0834613

マイクロ及びナノ電子素子に及ぼす高総電離線量と温度の影響

High-Total Ionizing Dose and Temperature Effects on Micro- and Nano-Electronic Devices

著者 (16件)： GAILLARDIN M. (DAM, CEA, Arpajon, FRA) ,  MARTINEZ M. (DAM, CEA, Arpajon, FRA) ,  GIRARD S. (Univ. Jean Monnet, Saint-Etienne, FRA) ,  GOIFFON V. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  PAILLET P. (DAM, CEA, Arpajon, FRA) ,  LERAY J. L. (DAM, CEA, Arpajon, FRA) ,  MAGNAN P. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  OUERDANE Y. (Univ. Jean Monnet, Saint-Etienne, FRA) ,  BOUKENTER A. (Univ. Jean Monnet, Saint-Etienne, FRA) ,  MARCANDELLA C. (DAM, CEA, Arpajon, FRA) ,  DUHAMEL O. (DAM, CEA, Arpajon, FRA) ,  RAINE M. (DAM, CEA, Arpajon, FRA) ,  RICHARD N. (DAM, CEA, Arpajon, FRA) ,  ANDRIEU F. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  BARRAUD S. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  FAYNOT O. (LETI, CEA, Grenoble, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 62  号： 3,Pt.3  ページ： 1226-1232  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温におけるMGyまでの高総電離線量に対するマイクロ及びナノ電子素子(幾つかの技術によるMOSトランジスタ)の脆弱性を調べた。まず,接地した又はバイアスを印加した素子にMGyまでのX線を室温で照射した。次に,異なる温度で素子を焼なまし,照射後の挙動を論じた。また,混合した苛酷な環境における回路機能に及ぼす高温の影響を調べた。実験結果は高温でのMGy線量レベルでの素子の機能性を保証するためには,各技術に特異な設計規則が必要であることを示した。回路の機能故障を防ぐには,電離放射線と高温で誘起した全体の電気特性のシフトを考慮する必要がある。

シソーラス用語： *固体素子 ,  *照射線量 ,  高温 ,  温度依存性 ,  SOI構造 ,  焼なまし ,  電流電圧特性 ,  *MOSFET ,  漏れ電流 ,  電流 ,  電圧 ,  依存性 ,  *耐放射線性
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ドレイン電流 ,  脆弱性 ,  線量依存性 ,  *総電離線量

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノ電子素子 ,  総電離線量