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J-GLOBAL ID：201502203720867107   整理番号：15A1004953

超高電圧絶縁ゲートバイポーラトランジスタ用の厚い多層4H-SiCのエピタキシャル成長と評価

Epitaxial growth and characterization of thick multi-layer 4H-SiC for very high-voltage insulated gate bipolar transistors

著者 (8件)： MIYAZAWA Tetsuya (Central Res. Inst. of Electric Power Ind. (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, JPN) ,  NAKAYAMA Koji (Power Engineering R&D Center, Kansai Electric Power Co., Inc., 3-11-20 Nakoji, Amagasaki, Hyogo 661-0974, JPN) ,  TANAKA Atsushi (Power Engineering R&D Center, Kansai Electric Power Co., Inc., 3-11-20 Nakoji, Amagasaki, Hyogo 661-0974, JPN) ,  ASANO Katsunori (Power Engineering R&D Center, Kansai Electric Power Co., Inc., 3-11-20 Nakoji, Amagasaki, Hyogo 661-0974, JPN) ,  JI Shi-yang (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  KOJIMA Kazutoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  ISHIDA Yuuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  TSUCHIDA Hidekazu (Central Res. Inst. of Electric Power Ind. (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 118  号： 8  ページ： 085702-085702-10  発行年： 2015年08月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *バイポーラトランジスタ ,  *炭化ケイ素 ,  *エピタクシー ,  *キャラクタリゼーション ,  *高電圧 ,  *IGBT ,  欠陥密度 ,  ドーピング ,  キャリア寿命 ,  イオン ,  イオン注入 ,  熱酸化 ,  熱処理 ,  損失 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *エピタキシャル成長 ,  成長温度 ,  *絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ,  炭素イオン ,  *超高電圧 ,  低損失半導体 ,  伝導率

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電圧 ,  絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ,  多層 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル成長 ,  評価