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J-GLOBAL ID：201502203722729429   整理番号：15A1321081

様々なN₂含量の雰囲気中でのRF反応性マグネトロンスパッタリングでポリエーテルスルホン上に蒸着した酸窒化ケイ素薄膜に関する気体浸透特性

Gas permeation properties of silicon oxynitride thin films deposited on polyether sulfone by radio frequency magnetron reactive sputtering in various N₂ contents in atmosphere

著者 (2件)： LIU C.-C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chung Hsing Univ., Taichung 40227, Taiwan, TWN) ,  CHANG L.-S. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chung Hsing Univ., Taichung 40227, Taiwan, TWN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 594  号： PA  ページ： 35-39  発行年： 2015年11月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸窒化ケイ素(SiO_xN_y)薄膜を,水蒸気透過に対する障壁層として,ポリエーテルスルホン(PES)上に,Ar/N₂雰囲気中で,純粋なSiターゲットを用いたRF反応性マグネトロンスパッタリングによって蒸着した。調べた被覆パラメータには,RF出力,雰囲気中N₂含量および基板バイアスを含めた。これら薄膜について,水蒸気透過率,膜厚,化学結合,微細構造および光透過率を測定した。Taguchi解析は,N₂含量が気体障壁薄膜の透過率に対して最も有意な影響を有することを示した。実験結果は,一定の実験チャンバ圧1.6Paと蒸着時間30minとの使用が,無被覆PESの場合と比べて2桁小さい最低水蒸気透過率をもたらすことを示した。この結果を,RF出力250W,N₂含量100%で,基板バイアスを印加せずに得た。N₂/Ar流率の精密な調節によって,最大の光透過を,95%N₂で得た。SiO_xN_yの気体障壁バリア特性は,その微細構造によって著しく影響を受けることも分かった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  *絶縁膜 ,  窒化物 ,  *薄膜成長 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  ポリエーテルスルホン ,  雰囲気 ,  気体 ,  濃度 ,  濃度依存性 ,  出力 ,  速度 ,  透過率 ,  膜厚 ,  化学結合 ,  微細構造 ,  解析 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  赤外吸収スペクトル ,  表面粗さ ,  層
準シソーラス用語： FTIRスペクトル ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  RF出力 ,  Taguchi解析 ,  光透過率 ,  *酸窒化ケイ素 ,  障壁層 ,  水蒸気透過率 ,  窒素濃度 ,  反応性マグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (11件)： N2 ,  含量 ,  雰囲気 ,  RF ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  ポリエーテルスルホン ,  蒸着 ,  酸窒化 ,  ケイ素薄膜 ,  気体 ,  浸透