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J-GLOBAL ID：201502203749791177   整理番号：15A1047179

水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によって作製したInGaN/GaN単一量子ディスクナノピラーの光学特性

著者 (6件)： 水谷友哉 (上智大) ,  蜂屋諒 (上智大) ,  小川航平 (上智大) ,  石嶋駿 (上智大) ,  菊池昭彦 (上智大) ,  菊池昭彦 (上智大 ナノテク研究セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.16A-1D-9  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： エッチング ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *ナノ構造 ,  柱 ,  MOCVD ,  二酸化ケイ素 ,  *光ルミネセンス ,  放射強度 ,  量子井戸
準シソーラス用語： InGaN ,  ナノピラー ,  量子ディスク ,  発光強度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： 水素雰囲気 ,  異方性 ,  エッチング ,  法 ,  作製 ,  InGaN ,  GaN ,  量子ディスク ,  ナノピラー ,  光学特性