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J-GLOBAL ID：201502204231771233   整理番号：15A1407574

HgTe量子井戸中の二次元半金属の電子g因子の交換増強

Exchange enhancement of the electron g-factor in a two-dimensional semimetal in HgTe quantum wells

著者 (17件)： BOVKUN L. S. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  BOVKUN L. S. (Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  KRISHTOPENKO S. S. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  KRISHTOPENKO S. S. (Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  ZHOLUDEV M. S. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  ZHOLUDEV M. S. (Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  IKONNIKOV A. V. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  IKONNIKOV A. V. (Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  SPIRIN K. E. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  SPIRIN K. E. (Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  DVORETSKY S. A. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akad. Lavrent’eva 13 ...) ,  MIKHAILOV N. N. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akad. Lavrent’eva 13 ...) ,  MIKHAILOV N. N. (Novosibirsk State Univ., ul. Pirogova 2, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  TEPPE F. (Univ. Montpellier II, Lab. Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS 5221, GIS-TERALAB, 34095, Montpellier, FRA) ,  KNAP W. (Univ. Montpellier II, Lab. Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS 5221, GIS-TERALAB, 34095, Montpellier, FRA) ,  GAVRILENKO V. I. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  GAVRILENKO V. I. (Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 12  ページ： 1627-1633  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 12Tまでの垂直磁場中での幅が20nmの半金属バンド構造を持つHgTe/CdHgTe量子井戸中での電子g因子の交換増強を調べた。弱い磁場中かつ奇数のLandau準位充填因子ν≦9附近でのShubnikov-de Haas振動振幅の温度依存性を解析することによりFermi準位での電子有効質量とg因子を求めた。実験値を8バンドk・pハミルトニアンを用いた一電子近似による理論計算と比較した。電子密度によるg因子の増強を見出したが,それを伝導バンド中のLandau準位エネルギーへの交換補正に対する正孔および電子類似状態の寄与の変化として説明した。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd.. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化水銀 ,  *量子井戸 ,  *半金属 ,  *g因子 ,  磁場 ,  *テルル化カドミウム水銀 ,  *Landau準位 ,  比率 ,  *有効質量 ,  摂動論 ,  バンド構造 ,  Shubnikov-de Haas効果 ,  温度依存性 ,  Fermi準位 ,  電子密度
準シソーラス用語： k・pモデル ,  充填因子

分類 (1件)： 結晶中の局在電子構造  (BM02090U)

タイトルに関連する用語 (6件)： HgTe ,  量子井戸 ,  半金属 ,  電子 ,  g因子 ,  増強