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J-GLOBAL ID：201502204300891017   整理番号：15A1021758

バンド間光励起下の公称非ドープn-Geとp-Ge試料中の絶縁破壊

Electrical breakdown in nominally undoped n-Ge and p-Ge samples under interband photoexcitation

著者 (1件)： BANNAYA V. F. (Sholokhov Moscow State Humanitarian Univ., 109240, Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 9  ページ： 1160-1162  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンド間光励起下の公称非ドープn-Geとp-Ge試料の低温不純物関連絶縁破壊強度E_thrの測定の結果について報告する。深準位不純物中心による固有キャリアの再結合モデルに基づいてこれらの条件下でのE_thrの値は伝導の型が違っても変わらず試料中の補償の程度とは無関係とならざるを得ない。しかし実験は絶縁破壊電圧は照明強度とは無関係で無照明の際の値に等しいことを示す。観測した効果の定性的説明を示唆する。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電子遷移 ,  *光ポンピング ,  *ゲルマニウム ,  *絶縁耐力 ,  電圧 ,  深い準位 ,  キャリア再結合 ,  不純物補償 ,  ドーピング ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： バンド間遷移 ,  *絶縁破壊電圧

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンド ,  光励起 ,  ドープ ,  Ge ,  試料 ,  絶縁破壊