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J-GLOBAL ID：201502204453173628   整理番号：15A0830913

バルクとSOI FinFETにおける統計的変動に与える自己加熱の影響

Impact of Self-Heating on the Statistical Variability in Bulk and SOI FinFETs

著者 (8件)： WANG Liping (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  BROWN Andrew R. (Gold Standard Simulations Ltd., Glasgow, GBR) ,  NEDJALKOV Mihail (Technische Univ. Wien, Vienna, AUT) ,  ALEXANDER Craig (Gold Standard Simulations Ltd., Glasgow, GBR) ,  CHENG Binjie (Gold Standard Simulations Ltd., Glasgow, GBR) ,  MILLAR Campbell (Gold Standard Simulations Ltd., Glasgow, GBR) ,  ASENOV Asen (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  ASENOV Asen (Gold Standard Simulations Ltd., Glasgow, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 7  ページ： 2106-2112  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在までSOI FinFETの変動性に対するラインエッジ粗さ(LER),メタルゲート粒度(MGG)などの効果は調べられているが,自己加熱効果は調べられていない。今回初めて統計的変動に対する自己加熱の影響を調べた。熱伝導率に与えるフィン形状の効果を考慮したGARANDシミュレータを使ってシミュレーションを行った。シミュレーションではフルスケール伝熱シミュレーションから求めた統計的変動を,伝熱シミュレーションで求めた均一室温と最大または平均温度における変動性と比較した。ラインエッジ粗さとメタルゲート粒度の結合効果を考慮した。自己加熱はオン電流ばらつき低減に大きく影響するが,サブ閾値電圧,サブ閾値スロープ,オフ電流ばらつきには大きく影響しない。その代り,オン電流分布とその他の性能指数の分布の相関に影響する。

シソーラス用語： 半導体 ,  相関 ,  シミュレーション ,  FET【トランジスタ】 ,  *SOI構造 ,  *変動 ,  加熱 ,  熱伝導率 ,  表面粗さ ,  粒度 ,  電圧 ,  温度分布 ,  CMOS
準シソーラス用語： *FinFET ,  ラインエッジ粗さ ,  *自己加熱 ,  統計変動 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  SOI ,  FinFET ,  統計 ,  自己加熱