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J-GLOBAL ID：201502204469974809   整理番号：15A0942836

半導体式ガスセンサおよび接触燃焼式ガスセンサ

Semiconductor Gas Sensors and Catalytic Combustion Type Gas Sensors

著者 (1件)： 原和裕 (東京電機大学 工学部)
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 135  号： 8  ページ： 270-275 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 小型・軽量で応答速度が速く低価格であることからガス漏れ警報器等に広く普及している半導体式および接触燃焼式ガスセンサの構造,動作原理および最近の研究開発の動向について解説した。半導体式ガスセンサのセンサ材料として熱的・化学的に安定なSnO₂等が用いられ,電気抵抗や静電容量の変化等を検出するが原理は明確になっていないことを示した。ガス選択性の改善やガス種の拡大のための新センサの実用化が研究されていると述べた。接触燃焼式センサは触媒上の吸着酸素と可燃性ガスの反応を利用し検知素子と比較素子から構成されると述べた。センサ感度の向上のため材料の選択や動作温度の最適化に加えMEMS技術の応用による複数センサの集積化等も検討されていると述べた。

シソーラス用語： 半導体検出器 ,  *ガスセンサ ,  *触媒燃焼 ,  *MEMS ,  結晶構造 ,  原理 ,  *技術開発 ,  酸化スズ ,  加熱器 ,  消費電力 ,  *マイクロマシニング ,  漏れ検出器 ,  呼気 ,  臭気 ,  基板 ,  サファイア基板
準シソーラス用語： 接触燃焼 ,  表面マイクロマシニング

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (52件)：

• (1) T. Seiyama, A. Kato, K. Fujiishi, and M. Nagatani : “A new detector for gaseous components using semiconductive thin films”, Anal. Chem., Vol. 34, pp. 1502-1503 (1962)
• (2) 間中順二・水田利昭:「マイクロガスセンサーにおけるメモリー機能」, 第50回応用物理学会学術講演会, 28p-ZC-2 (1986)
• (3) T. Ogawa and K. Hara : “A Thin-Film Gas Sensor Fabricated on a Diaphragm on a Silicon Substrate”, T. IEE Japan, Vol. 112-C, No. 12, pp. 763-768 (1992) (in Japanese)
• 小川 剛・原 和裕:「Si基板上に作成したダイヤフラム形薄膜ガスセンサ」, 電学論C, Vol. 112, No. 12, pp. 763-768 (1992)
• (4) 野中 篤・中島 崇・大西久男・岡村 誠・村田尚義・鈴木卓弥:「薄膜SnO₂ガスセンサの超低消費電力化」, Chemical Sensors, Vol. 30, Supplement B, pp. 13-15 (2014)

タイトルに関連する用語 (2件)： ガスセンサ ,  接触燃焼