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J-GLOBAL ID:201502204494906702   整理番号:15A1078508

ガラスに接着したPVウェーハのa-Si:H表面不動態化のためのシリコーンプラズマ処理に対するO2の役割

Role of O2 radicals on silicone plasma treatments for a-Si:H surface passivation of PV wafers bonded to glass
著者 (10件):
資料名:
巻: 212  号:ページ: 1946-1953  発行年: 2015年09月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ガラスに接着したウェーハの非晶質シリコン(a-Si:H)表面不動態化に対するシリコーンの否定的な影響を除去するためにシリコーン接着剤に対してアルゴン(Ar)及び酸素(O2)プラズマ処理を行った。Ar及びO2プラズマによりシリコーン表面の酸化が生じ,酸素/炭素比,クロスリンク,材料密度が増加した。酸化シリコーンは未処理のものより弾力がありa-Si:H不動態化処理と相互作用しないので,ガラスに接着したウェーハの最先端表面不動態化が可能となった。Ar及びO2プラズマによってシリコーンに誘起される修正間の類似性により酸化過程におけるO2ラジカルの二次的な役割が示唆される。更に,非晶質/結晶ヘテロ接合櫛型裏面電極型太陽電池(a-Si:H/c-Si HJ i-BC)をArプラズマ処理した自立型及び接合型ウェーハ上に作成した。このデバイスは675mVまでの開回路電圧を示し,デバイスレベルにおいて処理の有効性を実証した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 

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