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J-GLOBAL ID：201502204504503385   整理番号：15A0924204

電荷トラップメモリ薄膜トランジスタの不揮発性メモリ動作における,酸化物ゲートスタックの厚さと幾何学的な変動の影響

Effects of thickness and geometric variations in the oxide gate stack on the nonvolatile memory behaviors of charge-trap memory thin-film transistors

著者 (7件)： BAK Jun Yong (Kyung-Hee Univ., Gyeonggido, KOR) ,  KIM So-Jung (Kyung-Hee Univ., Gyeonggido, KOR) ,  BYUN Chun-Won (Electronics & Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  PI Jae-Eun (Electronics & Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  RYU Min-Ki (Electronics & Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  HWANG Chi Sun (Electronics & Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  YOON Sung-Min (Kyung-Hee Univ., Gyeonggido, KOR)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 111  ページ： 153-160  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *キャリア捕獲 ,  *薄膜トランジスタ ,  *不揮発性メモリ ,  トンネル効果 ,  膜厚 ,  化合物半導体 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： In-Ga-Zn-O ,  トンネリング ,  酸化物半導体 ,  *電荷トラップ ,  *不揮発性記憶装置

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電荷トラップ ,  薄膜トランジスタ ,  不揮発性メモリ ,  酸化物 ,  ゲートスタック ,  幾何学