文献

J-GLOBAL ID：201502204604256512   整理番号：15A1140591

Si基板上エピタキシャル成長チタン酸バリウム薄膜の電流電圧キャラクタリゼーション

Current-voltage characterization of epitaxial grown barium titanate thin films on Si substrate

著者 (5件)： WU Zhigang (Xi’an Jiaotong Univ., Multi-disciplinary Materials Res. Center, Frontier Inst. of Sci. and Technol., State Key Lab. ...) ,  BIAN Jihong (Xi’an Jiaotong Univ., Multi-disciplinary Materials Res. Center, Frontier Inst. of Sci. and Technol., State Key Lab. ...) ,  WANG Zhiguang (Northeastern Univ., Dep. of Electrical and Computer Engineering, 02115, Boston, MA, USA) ,  WU Zhongyu (Virginia Tech, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 24061, Blacksburg, VA, USA) ,  YANG Yaodong (Xi’an Jiaotong Univ., Multi-disciplinary Materials Res. Center, Frontier Inst. of Sci. and Technol., State Key Lab. ...)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 11  ページ： 8315-8318  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PtバッファSi基板上の(111)方向BaTiO₃薄膜の電流電圧キャラクタリゼーションを行った。下向きに分極している強誘電ドメインは,小さい抵抗と対応する良好な電気特性を持っている。異常非対称スイッチングが観察され,これはスイッチング前状態のメムリスティブ挙動と同じである。バイアスを高めると,正バイアスでのI-Vカーブは飽和する傾向を持つ。膜は正バイアスよりも負バイアスに対してより耐久性を示す。この発見は古典的強誘電体メモリとは別に,新型メムリスティブメモリ用途としてのチタン酸バリウム薄膜の利用可能性を有望なものとする。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *エピタクシー ,  *チタン酸バリウム ,  誘電体薄膜 ,  *電流電圧特性 ,  曲線
準シソーラス用語： Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  ヒステリシスループ ,  強誘電体薄膜

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  チタン酸バリウム ,  薄膜 ,  キャラクタリゼーション