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J-GLOBAL ID：201502204621545366   整理番号：15A0907845

28nmCMOSプロセスにおける能動フィードバックによるESD保護クランプとミストリガ耐性

ESD Protection Clamp with Active Feedback and Mis-Trigger immunity in 28nm CMOS Process.

著者 (4件)： PARTHASARATHY Srivatsan (Analog Devices, Inc., MA, USA) ,  SALCEDO Javier A. (Analog Devices, Inc., MA, USA) ,  HERRERA Sandro (Analog Devices, Inc., MA, USA) ,  HAJJAR Jean-Jacques (Analog Devices, Inc., MA, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2015 Vol.2  ページ： 736-740  発行年： 2015年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 超LSI ,  *CMOS構造 ,  *放電 ,  *静電気 ,  *電気保護 ,  データ変換 ,  *信頼性 ,  フィードバック制御 ,  *電源装置 ,  *クランプ回路 ,  NPN接合 ,  *MOSFET ,  *RC回路 ,  時定数 ,  漏れ電流 ,  長さ ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  *回路設計 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： ESD【放電】 ,  nMOSFET ,  pMOSFET ,  SOC【IC】 ,  アクティブフィードバック ,  ゲート酸化膜 ,  チャネル長

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： プロセス ,  フィードバック ,  ESD保護 ,  クランプ ,  ミス ,  トリガ ,  耐性