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J-GLOBAL ID：201502204698139310   整理番号：15A1304946

異常分散X線回折を利用したGaN結晶の極性評価

Polarity Determination of GaN Thin Films by Anomalous X-Ray Diffraction

著者 (1件)： 秋本晃一 (日本女子大学理学部数物科学科)
資料名： 日本結晶学会誌  (Journal of the Crystallographic Society of Japan)
巻： 57  号： 5  ページ： 263-268 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： G0232A  ISSN： 0369-4585  CODEN： NKEGAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ハイドライド気相成長法,有機金属気相成長法,及び分子線結晶成長法を用いて作製したさまざまなGaN試料について,異常分散X線回折法により,極性判別を行った。GaN膜の結晶構造は,通常,ウルツ鉱型か,閃亜鉛鉱型である。GaN膜の成長方向は,一般的にウルツ鉱型構造の{0001}面に垂直である。したがって,その極性を判別することは重要である。試料は,いずれもc面のGaN結晶であった。どの試料についても,異常分散X線回折法により,極性を判別できることを確認した。Ga極性面とN極性面が混在する試料でも,その割合を明らかにできる可能性があることが分かった。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *薄膜成長 ,  *気相成長 ,  *MOCVD ,  *MBE成長 ,  *極性 ,  結晶構造 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  *X線回折
準シソーラス用語： *ハイドライド気相成長 ,  *有機金属化学気相成長法 ,  *異常分散X線回折

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  X線回折法  (BK01020I)

引用文献 (18件)：

• 1) F. A. Ponce, D. P. Bour and J. W. Steeds: Appl. Phys. Lett. 69, 3372 (1996).
• 2) B. Daudin, J. L.Rouviere and M. Arlery: Appl. Phys. Lett. 69, 2480 (1996).
• 3) M. Seelmann-Eggebert, J. L. Weyher, H. Obloh, H. Zimmermann, A. Rar and S. Porowski: Appl. Phys. Lett. 71, 2635 (1997).
• 4) A. Kazimirov, G. Scherb, J. Zegenhagen, T. -L. Lee, M. J. Bedzyk, M. K. Kelly, H. Angerer and O. Ambacher: J. Appl. Phys. 84, 1703 (1998).
• 5) T. Yasoshima, T. Koyama, K. Akimoto, A. Ichimiya, C. Sasaoka and A. Usui: Proc. of 2nd ISBLLED, Chiba, 620 (1998).

タイトルに関連する用語 (6件)： 異常分散 ,  X線回折 ,  GaN ,  結晶 ,  極性 ,  評価