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J-GLOBAL ID：201502204912222300   整理番号：15A1224984

窒素ドープSiCナノワイヤの窒素含有率および形態依存性電界放出特性および密度汎関数計算

Nitrogen content and morphology dependent field emission properties of nitrogen-doped SiC nanowires and density functional calculations

著者 (5件)： ZHAO Jian (Key Lab. of Polymer Material Advanced Manufacturing Technol. of Shandong Provincial, Qingdao Univ. of Sci. and ...) ,  MENG Alan ,  ZHANG Meng ,  REN Weipeng ,  LI Zhenjiang
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 43  ページ： 28658-28665  発行年： 2015年11月21日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素と窒素との両方の原料としてメラミンを使用する一段階化学気相反応(CVR)によって0.975重量%から2.265重量%の窒素含有率を有する窒素ドープSiCナノワイヤ(NドープSiC NW)を合成した。興味深いことに生成物の形態はNドーパントの増加とともにわずかに湾曲したものから密集して非常に湾曲したものへ変化した。これは提案されたSiC NWのNドーピング成長モデルによって矛盾なく解釈された。さらに,電子構造計算結果によるとN含有率の増加とともにバンドギャップは次第に狭くなり,電界放出(FE)特性が大幅に増強された。しかし,FE測定の実験結果はN含有率が最適値のときにだけNドープSiC NWは1.5Vμm^-1の非常に低いターンオン電界(E_to)および4Vμm^-1のしきい値電界(E_thr)を有する電界放出体の候補として作用し得ることを実証した。前述の現象に基づき,普遍的な協同機構を用いてNドープSiC NWのFE特性に対するN含有率および形態の影響を説明した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ドーピング ,  *窒素化合物 ,  *ナノワイヤ ,  *電界放出 ,  濃度依存性 ,  密度汎関数法 ,  化学蒸着 ,  バンドギャップ ,  窒素複素環化合物

分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (1件)： メラミン

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒素ドープ ,  SiC ,  ナノワイヤ ,  窒素 ,  含有率 ,  形態依存性 ,  電界放出 ,  密度汎関数計算