ARULKUMARAN S. について
Nanyang Technological Univ., Singapore について
NG G.I. について
Nanyang Technological Univ., Singapore について
MANOJKUMAR C.M. について
Nanyang Technological Univ., Singapore について
RANJAN K. について
Nanyang Technological Univ., Singapore について
TEO K.L. について
Nanyang Technological Univ., Singapore について
SHORON O.F. について
Ohio State Univ., OH, USA について
RAJAN S. について
Ohio State Univ., OH, USA について
DOLMANAN S.B. について
Inst. Materials Res. and Engineering, Agency of Sci., Technol. and Res., Singapore について
TRIPATHY S. について
Inst. Materials Res. and Engineering, Agency of Sci., Technol. and Res., Singapore について
Technical Digest. International Electron Devices Meeting について
HEMT について
FET【トランジスタ】 について
短チャネル効果 について
窒化アルミニウム について
窒化ガリウム について
論理回路 について
速度 について
化合物半導体 について
素子構造 について
引張応力 について
電流電圧特性 について
性能指数 について
DIBL について
FinFET について
GaN について
III-V半導体 について
InAlN について
サブ閾値スイング について
スイッチング速度 について
ロジック回路 について
トランジスタ について
DEC について
AlN について
GaN について
T型 について