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J-GLOBAL ID：201502204935062865   整理番号：15A0473245

V_D=0.5Vでg_m=646mS/mm,I_ON=1.03A/mm,I_OFF=1.13μA/mm,SS=82mV/dec,DIBL=28mV/VのIn_0.17Al_0.83N/AlN/GaNトリプルT型Fin-HEMT

In_0.17Al_0.83N/AlN/GaN Triple T-shape Fin-HEMTs with g_m=646mS/mm, I_ON=1.03A/mm, I_OFF=1.13μA/mm, SS=82mV/dec and DIBL=28mV/V at V_D=0.5V

著者 (9件)： ARULKUMARAN S. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  NG G.I. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  MANOJKUMAR C.M. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  RANJAN K. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  TEO K.L. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  SHORON O.F. (Ohio State Univ., OH, USA) ,  RAJAN S. (Ohio State Univ., OH, USA) ,  DOLMANAN S.B. (Inst. Materials Res. and Engineering, Agency of Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  TRIPATHY S. (Inst. Materials Res. and Engineering, Agency of Sci., Technol. and Res., Singapore)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2014  ページ： 594-597  発行年： 2014年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ロジック回路のスイッチング速度を上げるためにIII-V材料が使われるが,高いI_ONとg_m,低いSSと小さいDIBLをV_D=0.5Vで達成した報告は未だ無い。本稿は,ストレスエンジニアリング技術を使った新しいデバイス構造で高性能を達成した。トランジスタ構造は3Dトリプル170nmTゲートInAlN/GaN200nmナノチャネル(NC)FinHEMTである。デバイス性能の劇的改善はNC Fin-HEMTのSiNパシベーションで生じる引っ張り応力によるものである。

シソーラス用語： *HEMT ,  FET【トランジスタ】 ,  短チャネル効果 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  論理回路 ,  速度 ,  化合物半導体 ,  素子構造 ,  引張応力 ,  電流電圧特性 ,  性能指数
準シソーラス用語： DIBL ,  *FinFET ,  GaN ,  *III-V半導体 ,  InAlN ,  サブ閾値スイング ,  スイッチング速度 ,  ロジック回路

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： DEC ,  AlN ,  GaN ,  T型