文献

J-GLOBAL ID：201502205051041578   整理番号：15A0908468

Si (111)基板上のGaNナノワイヤの歪み分布の高解像度X線回折解析

High-resolution X-ray diffraction analysis of strain distribution in GaN nanowires on Si(111) substrate

著者 (10件)： STANCHU Hryhorii (V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  KLADKO Vasyl (V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  KUCHUK Andrian V (V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  KUCHUK Andrian V (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  SAFRIUK Nadiia (V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  BELYAEV Alexander (V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  WIERZBICKA Aleksandra (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  SOBANSKA Marta (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  KLOSEK Kamil (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  ZYTKIEWICZ Zbigniew R (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 10:51 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究で,GaNナノワイヤ(NWs)のマイクロ-とマクロ-変形プロフィールのX線回折の角度強度分布に対する影響を理論的に研究した。計算は,X線回折の運動理論を用い,そして,変形がNW/基板界面から指数的に減衰すると仮定して実行した。異なる変形プロフィールによるNWsからのX線散乱の理論的モデリングを行つた。(002)2θ/ωX線回折プロフィール(XDP)の形がNWの底の最初の変形と,指数変形プロフィールの減衰深さによって与えられるその緩和深さによって定義されることを示した。また,マクロ変形がXDPシフトに導くことを実証した。一方,マイクロ変形は,XDPの非対称と対称形の広幅化の原因である。マイクロ-とマクロ-変形プロフィールのすべてのパラメータを考慮することによってSi (111)基板上の自己組織化GaN NWsの計算と実験的XDPの間の良い相関関係を成し遂げた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  基板 ,  窒化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  歪 ,  分布 ,  *X線回折 ,  解析 ,  変形

分類 (1件)： X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  歪み分布 ,  高解像度 ,  X線回折 ,  解析