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J-GLOBAL ID：201502205260062337   整理番号：15A1189599

1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価

Analysis of heat dissipation and evaluation of current reduction of 1.3μm wavelength InGaAlAs BH laser

著者 (7件)： 進藤隆彦 (NTT先端集積デバイス研) ,  小林亘 (NTT先端集積デバイス研) ,  小木曽義弘 (NTT デバイスイノベーションセ) ,  藤原直樹 (NTT先端集積デバイス研) ,  伊賀龍三 (NTT先端集積デバイス研) ,  大礒義孝 (NTT先端集積デバイス研) ,  石井啓之 (NTT先端集積デバイス研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 195(EMD2015 30-59)  ページ： 73-76  発行年： 2015年08月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 将来のbeyond100GbEに向けた低消費電力・大容量光源として,1.3μm帯InGaAlAs直接変調レーザが有望視されている。本研究では,リッジ構造と埋め込みヘテロ(BH)構造において,内部温度分布シミュレーションと試作素子の特性比較から電流注入時の内部温度上昇を評価し,共振器長200μmのBHレーザにおいて60mA注入時にリッジレーザに対して約5°Cの温度上昇抑制を確認した。また,試作素子の発振特性評価からBH構造の導入による電流削減量を評価し,共振・器長200μmの素子において55°C,15mW光出力時の駆動電流削減量約11mAを確認した。BH構造による電流削減の主要因としては電流狭窄効果と放熱効果が挙げられ,そのうちの放熱効果による寄与が約20%を占めることを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *埋込み【挿入】 ,  *素子構造 ,  *レーザ ,  *熱放射 ,  *性能分析 ,  *電流 ,  温度分布 ,  昇温 ,  注入
準シソーラス用語： *InGaAlAs ,  *ヘテロ構造 ,  *駆動電流 ,  電流注入

分類 (1件)： その他のレーザ  (BD04090H)

引用文献 (10件)：

• http://www.ieee802.org/3/400GSG
• T. Fujisawa, K. Takahata, W. Kobayashi, T. Tadokoro, N. Fujiwara, S. Kanazawa, and F. Kano, “1.3 μm, 50 Gbit/s electroabsorption modulators integrated with DFB laser for beyond 100G parallel LAN applications,“ IEE Electronics Lett., vol. 47, no.12,pp. 708-710, June, 2011.
• C-E. Zah, R. Bhat, B. N. Pathak, F. Favire, W. Lin, M. C. Wang, N. C. Andreadakis, D. M. Hwang, M. A. Koza, T-P. Lee, Z. Wang, D.Darby, D. Flanders, and J. J. Hsieh, “High-performance uncooled 1.3-μm Al_xGa_yIn_1-x-yAs/InP strained-layer quantum-well lasers for subscriber loop applications,“ IEEE J. Quantum Electron., Vol. 30, No. 2, pp. 511-523, Feb., 1994.
• T. J. Houle, J. C. L. Yong, C. M. Marinelli, S. Yu, J. M. Rorison, I. H. White, J. K. White, A. J. SpringThorpe, and B. Garrett, “Characterization of the temperature sensitivity of gain and recombination mechanisms in 1.3-μm AlGaInAs MQW lasers,“ IEEE J. quantum electron., Vol. 41, No. 2, pp. 132-139, Feb. 2005.
• K. Nakahara, T. Tsuchiya, T. Kitatani, K. Shinoda, T.Taniguchi, T. Kikawa, M. Aoki, and M. Mukaikubo, “40-Gb/s Direct modulation with high extinction ratio operation of 1.3-μm InGaAlAs multiquantum well ridge waveguide distributed feedback lasers,“ IEEE Photon Technol Lett., vol. 19, No. 19, pp. 1436-1438, Oct., 2007.

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAlAs ,  埋め込み ,  放熱効果 ,  解析 ,  駆動電流 ,  評価