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J-GLOBAL ID：201502205299366970   整理番号：15A1215739

二重ゲートトンネル電界効果トランジスタの二次元半解析的モデル【Powered by NICT】

A 2-D semi-analytical model of double-gate tunnel field-effect transistor

著者 (4件)： Xu Huifang (Inst. of Electronic and Information Engineering, Anhui Univ., Hefei) ,  Dai Yuehua (Inst. of Electronic and Information Engineering, Anhui Univ., Hefei) ,  Li Ning (Inst. of Electronic and Information Engineering, Anhui Univ., Hefei) ,  Xu Jianbin (Inst. of Electronic and Information Engineering, Anhui Univ., Hefei)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 5  ページ： 054002-01-054002-07  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲートの二次元半解析的モデル(DG)トンネル電界効果トランジスタ(TFET)を提案した。ゲート誘電体層とチャネルに位置する二長方形音源を導入することの助けにより,二次元Poisson方程式を固有関数展開法と組み合わせた半解析的方法を用いて解いた。表面電位の発現は得られたが,これは無限級数表現のための特別な関数である。ポテンシャルプロフィルに対する移動電荷の影響を提案したモデルで考慮に入れた。ポテンシャルプロファイルに基づいて,最短トンネル長さと平均電場を導くことができると,ドレイン電流は,Kaneのモデルを用いて構築した。特に,ドレイン-ソース電圧によって影響を受けるトンネルパラメータA_kとB_kの変化も予測モデルに組み込んだ。提案したモデルは,異なるドレイン-ソース電圧,シリコン膜厚,ゲート誘電体層厚さ,およびゲート誘電体層定数でTCADシミュレーション結果と良い一致を示した。,DG TFETを最適化するために有用であり,これは回路レベル設計のための物理的洞察を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷 ,  ドレイン【半導体】 ,  固有関数 ,  *トンネル ,  ソース【食品】 ,  表面電位 ,  膜厚 ,  音源 ,  電圧 ,  *二次元 ,  Poisson方程式 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： TCAD ,  ドレイン電流 ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二重ゲート ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  解析 ,  モデル