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J-GLOBAL ID：201502205520411217   整理番号：15A1107488

無電解めっきの動向(I)半導体電極への無電解ニッケル/金めっき

著者 (1件)： 小山有一 (メルテックス)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 66  号： 10  ページ： 447-449  発行年： 2015年10月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子機器の小型化,多ピン化に対応したフリップチップ用微細バンプ及びパワーデバイスの両面放熱構造の形成のため,無電解めっきによるUBM(Under Bump Metal)形成プロセスが注目されている。本稿では,この半導体実装工法としての無電解UBM形成プロセス技術について紹介した。まず,アルミニウム合金電極への前処理としてのダブルジンケート法を紹介した。これは,より良い密着性を得るための亜鉛置換処理である。次に,半導体電極用に特化したメルプレートUBMプロセス(第一亜鉛置換,ニッケル/金めっき)を紹介した。本プロセスにより,電極間のめっき析出状態のバラツキが小さく電極形成できることが確認された。更に,パワーデバイスにおける無電解UBM形成を行った場合のウェハ反りへの対応について紹介した。最後に,ウェハ反りに対する対策としてのめっき薄膜化に伴う,次工程での置換金めっき時のニッケル皮膜腐食防止策について述べた。

シソーラス用語： *無電解めっき ,  *半導体電極 ,  亜鉛めっき ,  金めっき ,  ニッケルめっき ,  反り ,  防食 ,  前処理 ,  超小形回路技術 ,  半導体素子 ,  多層膜 ,  拡散障壁 ,  酸化還元電位 ,  膜応力 ,  *高密度実装 ,  バンプ ,  メタライゼーション
準シソーラス用語： UBM ,  ジンケート処理 ,  拡散バリア ,  技術動向

分類 (2件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (18件)：

• 1)塚田 裕 ; Electronic Journal 38th Technical Symposium予稿集, p.11(2001).
• 2)川島 敏 ; 表面技術, 54, 103(2003).
• 3)江守善雄, 渡辺三生, 奥野弘之, 畑田賢造 ; 第9回マイクロエレクトロニクスシンポジウム, p.21(1999).
• 4)佐藤浩三, 三橋史典 ; エレクトロニクス実装学会誌, 3, 339(2000).
• 5)二宮英彰, 梅川真一, 脇山成一郎, 西谷和展 ; 東芝レビュー, 65, 15(2010).

タイトルに関連する用語 (5件)： 無電解めっき ,  動向 ,  半導体電極 ,  無電解ニッケル ,  金めっき