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J-GLOBAL ID：201502205552598386   整理番号：15A1037550

ゾル-ゲル生成のナノ構造化n-ZnO/p-Siヘテロ接合ダイオードの作製および実験的特性評価

Fabrication and experimental characterization of a sol-gel derived nanostructured n-ZnO/p-Si heterojunction diode

著者 (5件)： SINGH Satyendra Kumar (Motilal Nehru National Inst. of Technol., 211004, Allahabad, IND) ,  HAZRA Purnima (Shri Mata Vaishno Devi Univ., 182320, Kakaryal, Katra, IND) ,  TRIPATHI Shweta (Motilal Nehru National Inst. of Technol., 211004, Allahabad, IND) ,  CHAKRABARTI P. (Motilal Nehru National Inst. of Technol., 211004, Allahabad, IND) ,  CHAKRABARTI P. (Banaras Hindu Univ., Indian Inst. of Technol., 221005, Varanasi, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 10  ページ： 7829-7836  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本文では,ゾル-ゲル生成のn-ZnOナノ粒子/p-Siヘテロ接合ダイオードを作製し,特性評価した。ゾル-ゲル生成のZnO薄膜のXRDスペクトルから得た強い回折ピーク(002)により,六方晶ウルツ鉱型ZnOナノ粒子の成長は望ましく,C軸に沿っていることを指摘した。AFMおよびSEM画像から抽出した表面形態特徴により,p-Si基板上にZnOナノ粒子が均一に成長していることを予測した。エリプソメータおよびフォトルミネセンス分光法を用いて300~1000nmのスペクトル範囲でZnOナノ粒子の光学的特性を測定した。ZnOの光透過率の観測によるとは可視領域で81~92.66%であり,光学バンドギャップは3.24eVであることが分かった。最後に,ZnO層の頂部およびSi層の底部に金属コンタクトを堆積し,ナノ構造化n-ZnO/p-Siヘテロ接合ダイオードの電気特性を評価した。逆飽和電流,理想係数,障壁高さ,整流比などの電気パラメータを計算し,将来のナノエレクトリックデバイスおよびオプトエレクトリックデバイス応用に対する本デバイスの可能性を探求した。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  ナノ構造 ,  *N型半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *P型半導体 ,  *ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  *接合ダイオード ,  実験 ,  キャラクタリゼーション ,  *ナノ粒子 ,  半導体薄膜 ,  X線回折 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  六方晶系 ,  薄膜成長 ,  優先配向 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  エリプソメータ ,  光ルミネセンス ,  発光分光法 ,  光透過 ,  透過率 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： c軸配向 ,  表面形態

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： ゾル-ゲル ,  ナノ構造 ,  ZnO ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  作製 ,  実験 ,  特性評価