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J-GLOBAL ID：201502205562680536   整理番号：15A0030570

シリコン基板上のGaNベースオプトエレクトロニクスデバイスのレビュー【Powered by NICT】

A review of GaN-based optoelectronic devices on silicon substrate

著者 (2件)： Zhang Baijun (Sun Yat-sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Yang Liu (Sun Yat-sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou)
資料名： Chinese Science Bulletin  (Chinese Science Bulletin)
巻： 59  号： 12  ページ： 1251-1275  発行年： 2014年 
JST資料番号： A0206B  ISSN： 1001-6538  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グループIII-ニトリド材料系は,赤外から深紫外に大きなスペクトル範囲,広いエネルギーバンドギャップ,高電子飽和速度,高い電気絶縁破壊電場,及び強い偏光効果のような,いくつかの独特な性質大ファミリーはオプトエレクトロニクスへのパワーエレクトロニクス地域からの非常に広い適用範囲を持つを有していた。さらに,大きなサイズのシリコン基板上にGaN関連III-ニトリド材料の成長の成功は,商業化を容易に実現上応用可能にし,Siベース集積回路のプラットフォーム上の費用有効な素子作製のためであった。本論文では,Si基板上に成長させたGaN系材料と発光ダイオードの進歩と発展をまとめた,材料成長と素子の製作に関していくつかの重要な問題をレビューした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  スペクトル ,  バンドギャップ ,  絶縁破壊 ,  電場 ,  偏光 ,  *オプトエレクトロニクス ,  パワーエレクトロニクス ,  商業化 ,  ケイ素 ,  *ベース【半導体】 ,  集積回路 ,  発光ダイオード
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  深紫外線 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  GaN ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  レビュー