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J-GLOBAL ID：201502205799971136   整理番号：15A1041367

MOS技術における総電離線量効果と時効効果のコンパクトモデリング

Compact Modeling of Total Ionizing Dose and Aging Effects in MOS Technologies

著者 (3件)： SANCHEZ ESQUEDA I. (Univ. Southern California, CA, USA) ,  BARNABY H. J. (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  KING M. P. (Sandia National Lab., NM, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 62  号： 4,Pt.1  ページ： 1501-1515  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS素子/集積回路のシミュレーションに総電離線量(TID)と応力誘起欠陥の影響を取込むための物理に基づくコンパクトモデリング手法の詳細な定式化を示した。まず,放射線誘起欠陥からの電荷寄与について述べ,表面電位の計算に欠陥の影響を取入れる一般的方法を示した。次に,モデリング手法を適用して酸化物捕獲電荷と界面捕獲密度からの電荷寄与を取込み,Poisson方程式を解いて表面電位方程式を求め,バルク及びSOI MOS素子のTID効果と時効効果を記述した。モデルの適用性を論じ,照射したバルク及びSOI MOSFETの実験データを用いて検証した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  吸収線量 ,  効果 ,  技術 ,  半導体 ,  固体素子モデル ,  定式化 ,  集積回路 ,  モデリング ,  Poisson方程式 ,  表面電位 ,  SOI構造 ,  *耐放射線性 ,  放射線効果 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： *コンパクトモデリング ,  時効効果 ,  総電離線量

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOS ,  総電離線量 ,  時効効果 ,  コンパクトモデリング