文献

J-GLOBAL ID：201502206279085024   整理番号：15A1261763

HVPE法によるSiドープn形AlN基板作製と縦型ショットキーバリアダイオード試作への適用

著者 (16件)： 寺尾真人 (東京農工大 大学院) ,  山本玲緒 (東京農工大 大学院) ,  山本玲緒 (トクヤマ) ,  木下亨 (トクヤマ) ,  永島徹 (トクヤマ) ,  小幡俊之 (トクヤマ) ,  高島信也 (富士電機) ,  富樫理恵 (東京農工大 大学院) ,  村上尚 (東京農工大 大学院) ,  SCHLESSER Raoul (Hexa Tech, Inc.) ,  COLLAZO Ramon (North Carolina State Univ.) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院) ,  MONEMAR Bo (東京農工大 大学院) ,  MONEMAR Bo (Linkoeping Univ.) ,  SITAR Zlatko (North Carolina State Univ.) ,  熊谷義直 (東京農工大 大学院)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 45th  ページ： ROMBUNNO.20PS15  発行年： 2015年10月19日 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *窒化アルミニウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *気相成長 ,  転位密度 ,  電気的性質 ,  導電性
準シソーラス用語： *AlN ,  *Schottkyバリアダイオード ,  *エピタキシャル成長 ,  *蒸気からの結晶成長 ,  電気的特性

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： HVPE ,  Si ,  ドープ ,  AlN ,  作製 ,  縦型 ,  ショットキーバリアダイオード ,  試作