文献

J-GLOBAL ID：201502206797027720   整理番号：15A1073412

室温でRFスパッタ法により堆積したSrTiO₃薄膜の構造,光学的および電気的特性へのO₂/Ar流量比と堆積後アニーリングの効果

Effect of O₂/Ar flow ratio and post-deposition annealing on the structural, optical and electrical characteristics of SrTiO₃ thin films deposited by RF sputtering at room temperature

著者 (12件)： GOLDENBERG E. (National Nanotechnology Res. Center (UNAM), Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  BAYRAK T. (National Nanotechnology Res. Center (UNAM), Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  BAYRAK T. (Inst. of Materials Sci. and Nanotechnology, Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  OZGIT-AKGUN C. (National Nanotechnology Res. Center (UNAM), Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  OZGIT-AKGUN C. (Inst. of Materials Sci. and Nanotechnology, Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  HAIDER A. (National Nanotechnology Res. Center (UNAM), Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  HAIDER A. (Inst. of Materials Sci. and Nanotechnology, Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  LEGHARI S.A. (National Nanotechnology Res. Center (UNAM), Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  LEGHARI S.A. (Inst. of Materials Sci. and Nanotechnology, Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  KUMAR M. (National Nanotechnology Res. Center (UNAM), Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  BIYIKLI N. (National Nanotechnology Res. Center (UNAM), Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR) ,  BIYIKLI N. (Inst. of Materials Sci. and Nanotechnology, Bilkent Univ., Ankara 06800, TUR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 590  ページ： 193-199  発行年： 2015年09月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrTiO₃(STO)薄膜を室温でUV熔融石英基板とSi(100)への反応性RFマグネトロンスパッタリングで作製した。酸素流量の膜特性への効果を全ガス流量30sccmで様々なO₂/O₂+Ar流量比にて調べた。堆積した膜は酸素雰囲気中で700°C1時間にて焼鈍した。堆積後熱処理は膜結晶性と分光透過率いずれも改善した。膜の微細構造は,光学的および電気的性質とともに,堆積直後および焼鈍後の膜いずれに対しても評価した。堆積条件に関わらず,すべてのSTO膜には広範なフォトルミネッセンス発光がスペクトル範囲2.75-3.50eV内において観測された。熱処理によって,酸素0%で堆積した膜の光学バンドギャップは僅かにブルーシフトした,一方,より高い酸素分圧で成長した他の試料ではいかなるシフトも見せなかった。550nm波長での屈折率(n)は堆積直後と熱処理後の試料に対し,それぞれ2.05から2.09の範囲,および2.10から2.12の範囲であった。300nm以下の膜厚に対し,100kHzでの誘電率は30-66の範囲内に得られ,その値は堆積後熱処理で~30-38に減少した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  蒸着膜 ,  *誘電体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  石英 ,  *流量 ,  酸素 ,  アルゴン ,  *混合気体 ,  *熱処理 ,  結晶度 ,  微細構造 ,  透過率 ,  光ルミネセンス ,  *光学ギャップ ,  屈折率 ,  誘電率
準シソーラス用語： 反応性RFマグネトロンスパッタリング ,  酸素流量 ,  光透過率

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 室温 ,  RFスパッタ法 ,  堆積 ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的特性 ,  O2 ,  Ar ,  流量比 ,  アニーリング