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J-GLOBAL ID：201502207109566148   整理番号：15A0772590

シンクロトロン放射を用いたX線光電子分光法によるAl/Si(111)薄膜の酸化に於ける深さ分析

Depth analysis on oxidation of Al/Si(111) thin film by X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation

著者 (4件)： IMAMURA Motoyasu (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  IMAMURA Motoyasu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI Eiichi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  SASAKI Masahiro (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 5  ページ： 055202.1-055202.5  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空(UHV)チャンバ中でSi(111)基板に蒸着したAl薄膜が室温で4と100Lの酸素曝露で酸化された。それから,シンクロトロン放射(SR)による色々な励起エネルギを持つX線によるX線光電子分光法(XPS)が,非常に薄い酸化膜の厚さを評価する為に採用された。得られたスペクトルは金属と酸化膜に割り当てられたAl 2Pピークを示した。スペクトルの曲率近似で得られたそれらのピーク比から,酸素組成の深さプロファイルが光電子の効果的減衰長(EAL)に基づくXPS分析の深さを考慮する事で導出された。単層モデルを用いたシミュレーションにより,4と100Lの酸素曝露で生成された酸化膜の厚さを測定した。結果は,初期段階のわずか数ラングミュアの酸素で生成された酸化層が酸化膜と金属の界面への酸素の拡散を抑制する事を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： シンクロトロン放射 ,  *X線光電子分光法 ,  *酸化 ,  *深さ分析 ,  *アルミニウム ,  *金属薄膜 ,  基礎 ,  ケイ素 ,  超高真空 ,  曝露 ,  酸素 ,  化学組成 ,  計算機シミュレーション ,  酸化膜 ,  膜厚

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (64件)：

• S. M. Bedair, F. Hofmann, and H. P. Smith, Jr., J. Appl. Phys. 39, 4026 (1968).
• S. M. Bedair and H. P. Smith, Jr., J. Appl. Phys. 42, 3616 (1971).
• D. W. Jepsen, P. M. Marcus, and F. Jona, Phys. Rev. B 6, 3684 (1972).
• C. W. B. Martinson and S. A. Flodström, Surf. Sci. 80, 306 (1979).
• D. J. O'Connor, E. R. Wouters, A. W. Denier van der Gon, J. Vrijmoeth, P. M. Zagwijn, W. F. J. Slijkerman, J. W. M. Frenken, and J. F. van der Veen, Surf. Sci. 287-288, 438 (1993).

タイトルに関連する用語 (7件)： シンクロトロン放射 ,  X線光電子分光法 ,  Al ,  Si ,  薄膜 ,  酸化 ,  深さ分析