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J-GLOBAL ID：201502207333643778   整理番号：15A1215702

n-GaAsへのOhm接触に及ぼすNi/AuGe/Pt/Au中Pt拡散障壁層の効果【Powered by NICT】

Effect of Pt diffusion barrier layer in Ni/AuGe/Pt/Au on ohmic contact to n-GaAs

著者 (6件)： Wang Yong (Changchun Univ. of Sci. and Technol. National Key Lab. on High Power Semiconductor Lasers, Changchun) ,  Liu Dandan (Changchun Univ. of Sci. and Technol. National Key Lab. on High Power Semiconductor Lasers, Changchun) ,  Feng Guoqing (Changchun Univ. of Sci. and Technol. National Key Lab. on High Power Semiconductor Lasers, Changchun) ,  Ye Zhen (Changchun Univ. of Sci. and Technol. National Key Lab. on High Power Semiconductor Lasers, Changchun) ,  Gao Zhanqi (Changchun Univ. of Sci. and Technol. National Key Lab. on High Power Semiconductor Lasers, Changchun) ,  Wang Xiaohua (Changchun Univ. of Sci. and Technol. National Key Lab. on High Power Semiconductor Lasers, Changchun)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 3  ページ： 036002-1-036002-3  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-GaAsへのOhm接触のPt拡散バリア層があるNi/AuGe/Pt/Auの多層金属を調べた。多層金属の表面形態とOhm接触抵抗率を特性化し,比較のためのPt拡散障壁層ありと無しであった。SEMとEDS測定から,Pt拡散障壁層は,多層金属における原子の相互拡散をブロックし,表面形態を改善できることを示した。TLMの結果は,Pt拡散障壁層を持つ試料は均一なOhm接触抵抗を持つ,Pt拡散障壁層はn-GaAsへのOhm接触の繰返しと均一性を増加させ,GaAsを基本とする素子の熱安定性と信頼性を向上させることができることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多層 ,  相互拡散 ,  *ヒ化ガリウム ,  熱安定性 ,  *Ohm接触 ,  電気抵抗率 ,  信頼性 ,  *拡散障壁 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  Ohm接触 ,  Ni ,  Pt ,  Au ,  拡散 ,  障壁層