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J-GLOBAL ID：201502207350457198   整理番号：15A1215777

THz InPベースPHEMT応用のためのオンウエハ較正の比較【Powered by NICT】

Comparison of on-wafer calibrations for THz InP-based PHEMTs applications

著者 (9件)： Wang Zhiming (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing) ,  Huang Hui (National Inst. of Metrology, Beijing) ,  Hu Zhifu (Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang) ,  Zhao Zhuobin (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing) ,  Wang Xudong (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing) ,  Luo Xiaobin (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing) ,  Liu Jun (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing) ,  Yang Songyuan (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing) ,  Lu Xin (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 6  ページ： 064006-01-064006-04  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InPベースPHEMTの散乱パラメータ(Sパラメータ)測定のための多重線TRL(スルー反射線)およびLRM(線反射整合)オンウエハキャリブレーションの定量的比較を提示した。比較を初めて行い,70kHzから110GHzまでの周波数範囲をカバーした。多重線TRLおよびLRM校正の精度は良く一致することを実証した。両方法は110GHzまでの全周波数バンドにおける従来のSOLTキャリブレーションよりも優れている。優れたRF性能は変曲点に基づいて,247GHzの最大電流利得カットオフ周波数f_tと392GHzの最大発振周波数f(max)を含む外挿によって得られた。LRM較正に基づく小信号モデルは,十分に確立されている。モデルのSパラメータは1~110GHzの測定と一致した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多重化 ,  外挿法 ,  遮断周波数 ,  *キャリブレーション ,  周波数 ,  周波数帯
準シソーラス用語： 小信号モデル ,  発振周波数 ,  電流利得 ,  Sパラメータ ,  *PHEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  PHEMT ,  応用 ,  較正