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J-GLOBAL ID:201502207411345487   整理番号:15A1061793

深紫外でのアプリケーションのための低温バッファと超格子の連成構造物を利用する高品質AlNの成長と特性評価

Growth and characterization of high quality AlN using combined structure of low temperature buffer and superlattices for applications in the deep ultraviolet
著者 (4件):
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巻: 54  号:ページ: 081001.1-081001.4  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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貫通転位の減少が高品質AlN層を成長させるというAlN/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N超格子(SLs)の成長と特性評価に関して本研究は報告します。最適化SLsの挿入は転位密度を有効に減少させ,そして高い結晶性の2.5μm厚のAlN層をもたらすことが示された。(0002)と(10<span style=text-decoration:overline>1</span>2)の両回折近傍のX線ロッキングカーブ(XRCs)の半値全幅(FWHM)がそれぞれ230と420まで減少したのが確認された。走査型電子顕微鏡法(SEM)と透過型電子顕微鏡法(TEM)マイクログラフによるエッチピット密度(EPD)からの転位密度の結果とXRCFWHMが良く一致した。この高品質で低い転位密度AlN層は高性能深UV発光ダイオードと電源デバイスのために重要です。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
引用文献 (18件):
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