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J-GLOBAL ID：201502207485677520   整理番号：15A1088803

AP-MOVPEによって成長したGaInNAs不均質層における歪み緩和の異方性

Anisotropy of strain relaxation in heterogeneous GaInNAs layers grown by AP-MOVPE

著者 (5件)： GELCZUK L. (Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL) ,  PUCICKI D. (Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL) ,  SERAFINCZUK J. (Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL) ,  DABROWSKA-SZATA M. (Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL) ,  DLUZEWSKI P. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sci., Al. Lotnikow 32/46, Warsaw 02-668, POL)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 430  ページ： 14-20  発行年： 2015年11月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 常圧気相エピタキシー(AP-MOVPE)によって成長した厚いアンドープGaInNAs/GaAsヘテロ構造の構造調査を,透過型電子顕微鏡法(TEM)とX線回折(XRD)法によって行った。断面TEM画像から,異なるインジウムと窒素含有量を含む数層のサブ層から形成していて,不均質な層構造がはっきりと明らかになった。一方で,平面TEM画像から,(001)サブ層界面で二つの直交する<110>結晶方位に配向した2D網目構造のミスフィット転位が明らかになった。さらに,XRD測定は,インジウムと窒素の含有量の傾斜分布についての情報と,さらには,界面ミスフィット転位の形成の非対称性を引き起こしている,GaInNAsエピタキシャル層中の歪み緩和の明白な異方性についての情報も提供した。得られた結果を利用して,調査したGaInNAs/GaAsヘテロ構造のバンド構造図,歪んだエピタキシャル層単位格子の格子パラメータの平均値を,それぞれ計算した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  緩和現象 ,  異方性 ,  ヒ化ガリウム ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  素子構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  構造 ,  不均一性 ,  *不整合転位 ,  *バンド構造 ,  格子定数
準シソーラス用語： MOVPE ,  歪緩和 ,  ヘテロ構造 ,  断面TEM ,  層構造 ,  ミスフィット転位 ,  格子パラメータ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ap ,  MOVPE ,  成長 ,  GaInNAs ,  歪み緩和 ,  異方性