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J-GLOBAL ID：201502207570469499   整理番号：15A0873687

イリジウム下地を用いたエピタキシャルダイヤモンドウェーハの作製

Fabrication of epitaxial diamond wafer on Ir

著者 (2件)： 澤邊厚仁 (青山学院大 理工) ,  児玉英之 (青山学院大 理工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 84  号： 7  ページ： 622-627  発行年： 2015年07月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ダイヤモンドを半導体材料や光学材料として利用するためには大面積かつ高品質なダイヤモンドウェーハ作製技術の確立が必要不可欠である。1995年に青山学院大学犬塚研究室がエピタキシャルIr下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長を発表してから20年,大面積化および高品質化技術は着実に進歩している。本稿では直流プラズマCVD法を用いたIr下地へのエピタキシャル成長技術について,これまでの開発成果および今後の展望について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： 薄膜 ,  *半導体薄膜 ,  *半導体材料 ,  *光学材料 ,  プラズマ ,  *プラズマCVD
準シソーラス用語： エピタキシャル膜 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  *ダイヤモンド半導体 ,  直流プラズマ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (34件)：

• H.P. Bovenkerk, F.P. Bundy, H.T. Hall, H.M. Strong, and R.H. Wentorf: Nature 184, 1049 (1959).
• 若槻雅男:GEMMOLOGY,32 No.378~384(2001)の連載.
• C.N.C. Owers: NEW DIAMOND 52, 2 (1999).
• S. Matsumoto, Y. Sato, M. Kamo, and N.Setaka: Jpn. J. Apple. Phys. 21, L183 (1982).
• A. Sawabe and T. Inuzuka: Appl. Phys. Lett. 46, 146 (1985).

タイトルに関連する用語 (3件)： イリジウム ,  下地 ,  作製