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J-GLOBAL ID：201502207591574039   整理番号：15A1399158

薄膜応用に対するホットワイヤ化学蒸着の産業化

Industrialization of Hot Wire Chemical Vapor Deposition for thin film applications

著者 (1件)： SCHROPP R.E.I. (Eindhoven Univ. of Technol. (TU/e), Dep. of Applied Physics, Plasma & Materials Processing, P.O. Box 513, 5600 MB ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 595  号： PB  ページ： 272-283  発行年： 2015年11月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 既存のインラインまたはロールツー-ロール反応器へのホットワイヤ化学蒸着(HWCVD)チャンバの実装の結果を示す。HWCVD生成反応器の装置および動作を,プラズマ増強化学蒸着に基づいた既存のロールツー-ロール反応器と比較する。最も重要な結果は,技術的な結果および経済的な結果であり,両方議論する。技術的な結果は,基板およびすでに蒸着した膜を有するHWCVDプロセスの異なる相互作用のため,装置およびプロセスシーケンスに適合する必要がある。経済的な結果は,高周波(RF)供給機器およびRF構成品における出資の減少である。これは,部分的には,より高容量なポンピングシステムに費やされる出資と相殺される。HWCVDの最も発達した応用は,有機発光ダイオードおよび有機光電池,および多結晶質シリコン太陽電池に対する不活性化層,高移動度電界効果トランジスタ,およびシリコンヘテロ接合セル(真性薄膜層を有するヘテロ接合セルとしても知られている)といった,薄膜可撓性デバイスに対する水分バリア被膜である。もうひとつの例は薄膜光電池におけるSiの使用である。HWCVDを使った薄膜光電池製造の一式あたりの費用の見通しは,Si薄膜構成要素に対して0.07ユーロ/Wpと見積もられる。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  工業生産 ,  *反応器 ,  *生産方式 ,  *インライン処理 ,  プラズマCVD ,  *研究 ,  *太陽電池 ,  ケイ素 ,  製造原価 ,  発光ダイオード ,  有機半導体 ,  ヘテロ接合 ,  ポリシリコン ,  FET【トランジスタ】 ,  膜 ,  水分
準シソーラス用語： *ホットワイヤ蒸着 ,  *ロール・ツー・ロール方式 ,  *比較研究 ,  有機発光ダイオード ,  水分バリア膜

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  応用 ,  ホットワイヤ ,  化学蒸着 ,  産業化