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J-GLOBAL ID：201502207649343407   整理番号：15A0939768

アモノサーマル基板を用いて作製したHVPE-GaN種結晶上へのGaN結晶のアモノサーマル成長

Ammonothermal growth of GaN crystals on HVPE-GaN seeds prepared with the use of ammonothermal substrates

著者 (12件)： KUCHARSKI R. (AMMONO SA, Prusa 2, 00-493 Warsaw, POL) ,  ZAJAC M. (AMMONO SA, Prusa 2, 00-493 Warsaw, POL) ,  PUCHALSKI A. (AMMONO SA, Prusa 2, 00-493 Warsaw, POL) ,  SOCHACKI T. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  SOCHACKI T. (TopGaN Sp.z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  BOCKOWSKI M. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  BOCKOWSKI M. (TopGaN Sp.z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  WEYHER J.L. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  IWINSKA M. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  SERAFINCZUK J. (Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, POL) ,  KUDRAWIEC R. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  SIEMIATKOWSKI Z. (Fac. of Mechanical Engineering, Kazimierz Pulaski Univ. of Technol. and Humanities, Malczewskiego 29, 26-600 Radom, POL)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 427  ページ： 1-6  発行年： 2015年10月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモノサーマル法による窒化ガリウムの結晶化の結果を提示する。アモノサーマルGaN基板上にHVPE法によって先行して成長したGaN結晶と,MOCVD-GaN/サファイアのテンプレートを,種結晶として用いた。得られた材料の構造と光学的特性を研究して比較した。アモノサーマルGaN基板上に先行して成長したHVPE-GaN種結晶を用いて,大きな曲率半径(>100m)と低転位密度(7×10⁴cm^-2)をアモノサーマル法で再現することができた。これは,アモノサーマル種結晶上に成長したHVPE-GaNを用いることによって,その後に続くアモノサーマルGaN成長で,高い結晶化度が再現できることを証明するものである。また,アモノサーマル法とHVPE法を併用することによって,高品質GaNを非常に効率的に増産するプロセスを実行できることも明らかになった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *溶液成長 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *種結晶 ,  基板 ,  *エピタクシー ,  MOCVD ,  鋳型効果 ,  サファイア ,  半径 ,  *転位密度 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： *アモノサーマル法 ,  *HVPE【薄膜成長】 ,  曲率半径 ,  *低転位密度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 作製 ,  HVPE ,  GaN ,  種結晶 ,  結晶 ,  成長