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J-GLOBAL ID：201502207714804280   整理番号：15A0922614

1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドからの銅薄膜の電着

Electrodeposition of copper thin films from 1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide

著者 (6件)： LIU Tomin (Universidade Tecnica de Lisboa, Dep. of Chemical Engineering and ICEMS - Instituto de Ciencias e Engenharia de ...) ,  LIU Tomin (Inst. des Sciences Moleculaires - Univ. Bordeaux, CNRS UMR 5255, Batiment A12, 351 cours de la liberation, 33405 ...) ,  VILAR Rui (Universidade Tecnica de Lisboa, Dep. of Chemical Engineering and ICEMS - Instituto de Ciencias e Engenharia de ...) ,  EUGENIO Sonia (Universidade Tecnica de Lisboa, Dep. of Chemical Engineering and ICEMS - Instituto de Ciencias e Engenharia de ...) ,  GRONDIN Joseph (Inst. des Sciences Moleculaires - Univ. Bordeaux, CNRS UMR 5255, Batiment A12, 351 cours de la liberation, 33405 ...) ,  DANTEN Yann (Inst. des Sciences Moleculaires - Univ. Bordeaux, CNRS UMR 5255, Batiment A12, 351 cours de la liberation, 33405 ...)
資料名： Journal of Applied Electrochemistry  (Journal of Applied Electrochemistry)
巻： 45  号： 1  ページ： 87-93  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： B0393B  ISSN： 0021-891X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅膜は高い電気伝導率を考慮してプリント回路基板の電気接点として用いられる。本研究の目的は,環境および健康への影響が少ないイオン液体系電解質からの高品質銅膜の電着のための方法を開発することであった。検討した電解質は1-エチル-3-メチルイミダゾリウム-ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド(EMIM-TFSI)中の銅(II)ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド(CuTFSI₂)溶液であった。この電解質中のCu(II)→Cu(I)反応は準可逆であり,活性化エネルギーは12kJmol^-1であった。EMIM-TFSI中のCuTFSI₂溶液から20nmの粒子サイズを有する高密度ナノ結晶銅膜が容易に得られた。銅膜の形態は,おそらく同じアニオンを有するイオン液体および金属塩の使用から生じる溶液中の安定な錯体に起因して析出電位および時間に依存しなかった。Copyright 2014 Springer Science+Business Media Dordrecht Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅 ,  *薄膜 ,  *電着 ,  *イオン液体 ,  電解質 ,  ナノ結晶

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

物質索引 (2件)： 1-エチル-3-メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド ,  ビス[ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミノ]銅(II)

タイトルに関連する用語 (5件)： 1-エチル-3-メチルイミダゾリウム ,  ビス ,  イミド ,  銅薄膜 ,  電着