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J-GLOBAL ID：201502207769208820   整理番号：15A0628094

シリコン基板上へ成長させたGaN系MIS-HEMTにおける捕獲機構

Trapping mechanisms in GaN-based MIS-HEMTs grown on silicon substrate

著者 (9件)： BISI Davide (Dep. of Information Engineering, Univ. of Padova, via Gradenigo 6B, 35131, Padova, ITA) ,  MENEGHINI Matteo (Dep. of Information Engineering, Univ. of Padova, via Gradenigo 6B, 35131, Padova, ITA) ,  VAN HOVE Marleen (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL) ,  MARCON Denis (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL) ,  STOFFELS Steve (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL) ,  WU Tian-Li (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL) ,  DECOUTERE Stefaan (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL) ,  MENEGHESSO Gaudenzio (Dep. of Information Engineering, Univ. of Padova, via Gradenigo 6B, 35131, Padova, ITA) ,  ZANONI Enrico (Dep. of Information Engineering, Univ. of Padova, via Gradenigo 6B, 35131, Padova, ITA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 5  ページ： 1122-1129  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコン基板上に成長させた二重ヘテロ構造GaN系MIS-HEMTの動的性能に影響する3つの支配的な捕獲機構を報告する。高いドレイン電圧とピンチオフ2DEGのオフ状態では,支配的な機構は,ドレインから基板へ横切る電位によって起こるゲート-ドレインアクセス領域における電荷捕獲である。この効果はON抵抗の動的な増大を起こし,正の温度依存性であり,そのため高温動作で多いに関心がある。SEMI-ON状態では,高いV_DSと比較的高いI_DSが存在することが原因となり,2DEGから,GaNバッファ中,あるいはAlGaN障壁中に位置するトラップ状態へのホットエレクトロンの注入が関係する余分な捕獲機構が現れる。この機構はハードスイッチング動作で重要であり,ON抵抗とV_TH両方に影響する。最後に,ゲートが正にバイアスされているとき(ゲートオーバードライブ状態),電子捕獲がゲート誘電体層で起こり,その結果,強く準安定なV_TH不安定性が生じる。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： MIS構造 ,  *HEMT ,  ウエハ【IC】 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *キャリア捕獲 ,  二次元電子ガス ,  オン抵抗 ,  ホットエレクトロン ,  電圧 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  電流電圧特性 ,  素子構造 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  シリコン基板 ,  ヘテロ構造 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン基板 ,  成長 ,  GaN ,  MIS ,  HEMT ,  捕獲